Discos Duros SSD

Samsung - 850 EVO mSATA 250GB

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MZ-M5E250BW

250GB mSATA, SATA 6Gb/s, 32 layer 3D V-NAND, 540 MB/s Lectura, 520 MB/s Escritura

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Arquitectura 3D V-NAND
La exclusiva e innovadora arquitectura Samsung 3D V-NAND supone una revolución en el mundo de las memorias flash en términos de densidad, rendimiento y resistencia. Las memorias 3D V-NAND se fabrican apilando verticalmente 32 capas de celdas. Así, se consigue mayor densidad y rendimiento con un menor consumo energético.

Trabaje más rápido gracias a TurboWrite
La tecnología TurboWrite ofrece una óptima experiencia de usuario gracias a su gran rendimiento de lectura / escritura. La unidad SSD 850 EVO de Samsung proporciona una velocidad secuencial de lectura de 540 MB/s y de escritura de 520 MB/s, las más altas dentro de su categoría. Además, mejorará el rendimiento general en todos los QD de su ordenador. Disfrute de una experiencia de usuario un 10% más satisfactoria* que con la anterior SSD 840 EVO, así como un 1.9x más rápida que en los anteriores modelos de 120 / 250 GB**.
*PCmark7 (250 GB ) : 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO)
**Escritura aleatoria (QD32,120 GB) : 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO)

Resistencia garantizada
Las unidades SSD 850 EVO duplican el TBW* de la anterior generación 840 EVO**. Proporcionan un rendimiento constante mejorado de hasta el 30% a pesar de la degradación, demostrando ser una de las unidades SSD más fiables del mercado***. Cuentan con 5 años de garantía.
*TBW: Bytes totales escritos
**TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 / 1 TB)
***Rendimiento constante (250 GB) : 3.300 IOPS (840 EVO) > 6.500 IOPS (850 EVO), Rendimiento medido tras un test de “escritura aleatoria” de 12 horas.

Potencia y rendimiento
El software Magician de esta unidad SSD 850 EVO mSATA ofrece el doble de rendimiento* en el procesado de datos al utilizar la memoria DRAM libre del ordenador como memoria caché. El nuevo software de Samsung es capaz de mejorar el uso de memoria máximo en el modo de RAPID, desde 1 GB (lo que ofrecía la versión 840 EVO), hasta los 4 GB que ofrece el modelo 850 EVO, con solo implementar 16 GB de DRAM. Además, disfrutará del doble de potencia* en cualquier QD aleatorio.
*PCMARK7 RAW (250 GB) : 7.500 > 15.000 (Rapid mode)

Trabaje por más tiempo
Trabaje en su portátil durante mucho más tiempo. La unidad SSD 850 EVO es un 25% más eficiente que el modelo 840 EVO anterior durante el proceso de escritura* gracias a que la nueva memoria flash 3D V-NAND consume la mitad de energía que la anterior memoria Planar 2D NAND.
*Consumo (250 GB) : 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO)

Proteja sus datos con una encriptación más segura
La unidad SSD 850 EVO cuenta con un motor de encriptado basado en hardware AES de 256 bits que mantendrá a salvo su información sin reducir el rendimiento, cumpliendo con la normativa TCG Opal 2.0. Además, es totalmente compatible con Microsoft e-drive IEEE1667, por lo que su información estará siempre segura.

Olvídese del sobrecalentamiento
La protección Dynamic Thermal Guard de la unidad SSD 850 EVO mantiene la temperatura óptima para proteger la integridad de sus datos. La temperatura disminuye si se detecta un sobrecalentamiento, asegurando así la máxima protección de su equipo.

Instalación sencilla
Gracias al software One-stop Install Navigator, podrá migrar todos sus datos y aplicaciones desde donde estén a los SSD 850 EVO. Y gracias al software Samsung Magician optimizará y gestionará su sistema de la forma más eficiente.

Componentes de la mayor calidad
Samsung es el único fabricante de unidades SSD que diseña y fabrica directamente todos los componentes. Así, sus tarjetas ofrecen un increíble rendimiento y menores fallos de compatibilidad.
  • Desempeño
  • Disco de estado sólido, capacidad: 250 GB
  • Interfaces de disco de estado sólido: Mini-SATA
  • Velocidad de lectura: 540 MB/s
  • Velocidad de escritura: 520 MB/s
  • Velocidad de transferencia de datos: 6 Gbit/s
  • Lectura aleatoria (4KB): 97000 IOPS
  • Escritura aleatoria (4KB): 88000 IOPS
  • Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
  • Soporte S.M.A.R.T.:
  • Soporte TRIM:
  • Escritura secuencial:
  • Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
  • calificación TBW: 75
  • Diseño
  • Interno:
  • Control de energía
  • Voltaje de operación: 5 V
  • Peso y dimensiones
  • Ancho: 30 mm
  • Profundidad: 38.1 mm
  • Altura: 50.8 mm
  • Peso: 9.07 g

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Samsung - 850 EVO mSATA 250GB

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250GB mSATA, SATA 6Gb/s, 32 layer 3D V-NAND, 540 MB/s Lectura, 520 MB/s Escritura